半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过
半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
半导体器件动态参数测试系统， 该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
基础规格
环境温度： 25 ～ 35 ℃
相对湿度：小于 75 %
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
参数/条件
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IGBT开通特性测试 |
IGBT关断特性测试 |
测试气动夹具 |
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测试参数 |
开通延迟 tdon |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
关断时间tdoff |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
压力： 5000PA的品牌空压机供气。 控温范围： 25 ℃ -200 ℃ 控温精度： ±1.0 ℃ ±1% 器件接触： 20个探针的接触矩阵
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上升时间 tr |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
下降时间tf |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
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开通能量 Eon |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
关断能量Eoff |
10-1000ns±5%±10ns Tj=25 ℃ 和125 ℃ |
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测试条件 |
集电极电压Vce |
50-3500V±5% 根据用户要求定制 |
集电极电压Vce |
50-3500V±5% 根据用户要求定制 |
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集电极电流Ice |
50-1500V±5% 根据用户要求定制 |
集电极电流Ice |
50-1500V±5% 根据用户要求定制 |
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负载L |
20-1000uH |
L负载 |
20-1000uH |
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栅极电压Vge |
±15V±3%±0.2V |
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短路测试Sct |
一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA |
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二极管反向恢复测试Drr |
反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt |
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