
-刻蚀形貌好、工艺性能
-高选择比、高刻蚀速率
-低拥有成本和消耗成本

晶圆尺寸:6/8寸兼容
适用工艺:等离子体刻蚀
适用材料:SiO2,Si3N4,etc.

适用领域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等领域
SiO2
4um SiO2
2um SiN 2um